一、个人基本信息
姓名：陈利
所在单位：厦门海洋职业技术学院
教育背景：厦门大学硕士
岗位职称：专任教师
研究领域：集成电路
教学课程：集成电路原理及应用、电子电工技术、传感器原理及应用等
通讯地址：厦门市翔安区洪钟路4566号敦睦楼信息工程学院
Emai l：372902467@qq.com
二、个人获奖情况
“一款工业级的电流模式PWM控制器芯片”荣获福建省百万职工“五小”创新大赛上荣获三等奖
“新一代600V高压高速VDMOS功率器件”荣获厦门市职工优秀技术创新成果
三、代表性教科研项目/成果
陈利，智能终端高效新型整流器件(芯片)成套关键技术及产业化，2022年重庆市科学技术进步奖（省级，二等奖）
四、代表性论文专著
陈利，李开航，郭东辉，高压功率 MOSFET结终端保护技术及其组合优化设计。《现代电子技术》2006年第11期总第226期
陈利，李开航，郭东辉，一种适用于高低压电路单片集成的LDMOS器件。《MICROELECTRONICS》2006年第36卷第6期
陈利，基于STI工艺的高压LDMOS器件设计与优化。《中国集成电路》2010年第12期总第139期
陈利，一种减小VDMOS反向传输电容的新结构。《企业导报》2015年第20期
陈利，陈瑞森，SGT MOSFET的研究与进展。《中国集成电路》2021年第4期总第263期
五、主要授权发明专利
一种具有复用可编程修调端口的霍尔传感器芯片，ZL201610769447.4，发明专利，2018/12/07
一种复用芯片输出端口的可编程修调电路，ZL201610769534.X，发明专利，2019/04/09
增强型、耗尽型和电流感应集成VDMOS功率器件，ZL201410135185.7，发明专利，2017/01/25
一种高压功率器件终端的制作方法，ZL201510873937.4，发明专利，2019/02/12
一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法，ZL201510876050.0，发明专利，2018/09/21
一种高压VDMOS器件及其制备方法，ZL202110190174.9，发明专利，2022/08/02
一种I型栅的MOS器件及其制备方法，ZL202110437726.1，发明专利，2022/09/20
一种具有分级缓冲层的VDMOS半导体功率器件及使用方法，ZL202110951288.0，发明专利，2023/11/03
一种高压槽栅MOS器件及其制备方法，ZL202110566933.7，发明专利，2024/5/14
一种Si基绝缘栅双极晶体管IGBT结构及其方法，ZL202110964333.6，发明专利，2025/2/25
